聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.ydhq1314.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.ydhq1314.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
文章詳情
IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有哪些？
日期：2025-12-16 14:55
瀏覽次數(shù)：753
摘要：
IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。
IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。*高柵源電壓受*大漏極電流限制，其*佳值一般取為15V左右。
IGBT的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分?！?/span>
尊敬的客戶：
您好，我司致力為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品有INFINEON模塊，F(xiàn)ERRAZ熔斷器，DYNEX，BUSSMANN熔斷器等等。您可以通過網(wǎng)頁撥打本公司的服務(wù)專線了解更多產(chǎn)品的詳細(xì)信息，至善至美的服務(wù)是我們不斷的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！
