聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.ydhq1314.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務(wù)
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.ydhq1314.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務(wù)
文章詳情
IGBT模塊的發(fā)展歷史
日期：2025-12-16 10:30
瀏覽次數(shù)：849
摘要：
1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT模塊概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT模塊中來。在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計。后來，通過采用PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個顯著改進(jìn)，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進(jìn)展的。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。
90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT模塊，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進(jìn)。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)品有 西門康IGBT ABB可控硅 BUSSMANN FERRAZ熔斷器 等。 本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠為您服務(wù)！
