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新聞詳情
驅(qū)動模塊外圍電路的改進(jìn)
日期：2025-11-05 07:41
瀏覽次數(shù)：1158
摘要：
IGBT當(dāng)關(guān)閉。發(fā)射器收集器之間。由此產(chǎn)生的電壓上升率高達(dá)30000 v / u s。過高會產(chǎn)生較大的位移電流。和導(dǎo)致大收藏家脈沖沖擊電流,很容易使動態(tài)與生活發(fā)生IGBT。為了避免IGBT的誤操作,必須在IGBT門加負(fù)偏壓。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,以下兩個(gè)驅(qū)動電路條件將導(dǎo)致負(fù)偏壓的消失:
(1)齊納二極管擊穿短路;
(2)驅(qū)動電路失去24 v電源。針對上述兩種情況,作者根據(jù)制造商的推薦電路提高了IGBT驅(qū)動模塊M57962L外圍電路。在正常情況下。VZ4傳導(dǎo),M57962L端腳為高潛力,VD1期限。VT2傳導(dǎo)。VO1輸出在低電阻狀態(tài)。如果齊納二極管VZ1或擊穿短路VZ3,VZ4截止,VO1 VT1截止,輸出是高阻抗?fàn)顟B(tài)。如果驅(qū)動電路失去24 v電壓,通過VO1 VO1輸入電流,輸出是高阻抗?fàn)顟B(tài)。
IGBT模塊和濾波器電容的輸入特性和場效應(yīng)晶體管IGBT是相似的。高輸入阻抗。如果失去電壓驅(qū)動電路,IGBT電網(wǎng)損失負(fù)偏壓。發(fā)射器是高阻抗?fàn)顟B(tài)。在這一點(diǎn)上,一旦有干擾到IGBT門,IGBT模塊的上下兩管同時(shí)辦理。如果直接與成千上萬的IGBT模塊的方法過濾微電容耦合,然后濾波電容器儲存的能量釋放是直接由IGBT模塊的上、下管,容易引起損傷的IGBT模塊。因此,感應(yīng)加熱電源在引導(dǎo)首先通過對控制、驅(qū)動電路的電源、IGBT模塊和濾波電容耦合。當(dāng)關(guān)機(jī)IGBT模塊和濾波電容斷開**,在關(guān)掉控制和驅(qū)動電路的電源。
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